Транзистор предварительное смещение 50V SOT-666-6
Артикул: C455063
Part Number: PEMD12,115
Производитель: Nexperia
от 0.067300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.105300 ₽ |
| 100 шт. | 0.090500 ₽ |
| 300 шт. | 0.083000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.077500 ₽ |
| 4000 шт. | 0.069500 ₽ |
| 8000 шт. | 0.067300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.6V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 61kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-666-6