Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C455005
Part Number: PUMB2,115
Производитель: Nexperia
от 0.023100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.024400 ₽ |
| 100 шт. | 0.023900 ₽ |
| 300 шт. | 0.023500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.023100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@2mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 47kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 180MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-363