Высокоскоростной IGBT пятого поколения серии High Speed 5 по технологии TRENCHSTOP 5, в общем корпусе с быстрым встречно-параллельным диодом RAPiD 1 с мягким восстановлением, рассчитанным на полный ток
Артикул: C454259
Part Number: IKW75N65EH5
Производитель: Infineon
от 1.428900 ₽
В наличии: 23842 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.516100 ₽ |
| 10 шт. | 2.110400 ₽ |
| 30 шт. | 1.855900 ₽ |
| 90 шт. | 1.596400 ₽ |
| 480 шт. | 1.479800 ₽ |
| 960 шт. | 1.428900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 395W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 90A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 160nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.75mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 130pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 17pF |
| Время задержки включения Td(on) | 28ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 174ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 900uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 92ns |
Описание
395W 90A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS