Низкий VcE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology В общем корпусе с RAPID 1 быстрый и мягкий встречно-параллельный диод
Артикул: C454251
Part Number: IKW75N65EL5
Производитель: Infineon
от 3.438300 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.977100 ₽ |
| 10 шт. | 4.385500 ₽ |
| 30 шт. | 4.033200 ₽ |
| 90 шт. | 3.675900 ₽ |
| 510 шт. | 3.512000 ₽ |
| 990 шт. | 3.438300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 536W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 436nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.2V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 12.1nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 150pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 42pF |
| Время задержки включения Td(on) | 40ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 275ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.61mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 114ns |
Описание
536W 80A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS