DIODES ZXMN3A04DN8TA
Артикул: C445021
Part Number: ZXMN3A04DN8TA
Производитель: DIODES
от 1.108500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.163800 ₽ |
| 10 шт. | 1.140800 ₽ |
| 30 шт. | 1.123900 ₽ |
| 100 шт. | 1.108500 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Common source |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.5A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 20mΩ@10V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Заряд затвора (Qg) | 36.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.89nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 218pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 349pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 8.5A 20mΩ@10V 1.25W 1V 2 N-канальный SO-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS