DIODES ZXMN3A01E6TA
Артикул: C444950
Part Number: ZXMN3A01E6TA
Производитель: DIODES
от 0.265700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.279500 ₽ |
| 10 шт. | 0.273300 ₽ |
| 30 шт. | 0.268700 ₽ |
| 100 шт. | 0.265700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 180mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.3nC@5V;3.9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 190pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 38pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1.1W 30V 3A 1V 180mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный SOT-26 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS