Смещение резистор транзистор, PNP кремний поверхностный монтаж транзистор с монолитный смещение резистор сеть
Артикул: C44457940
Part Number: S-LDTB114ELT1G
Производитель: LRC
от 0.029500 ₽
В наличии: 870 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.050600 ₽ |
| 100 шт. | 0.041500 ₽ |
| 300 шт. | 0.037000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.033600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.030800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.029500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
56 500mA 200mW 1 PNP со встроенными резисторами смещения PNP SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения