650V, 60A ограничение поля траншейный IGBT
Артикул: C444007
Part Number: FGA6560WDF
Производитель: onsemi
от 1.593000 ₽
В наличии: 534 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.094100 ₽ |
| 10 шт. | 2.645100 ₽ |
| 30 шт. | 2.066600 ₽ |
| 90 шт. | 1.779800 ₽ |
| 510 шт. | 1.650300 ₽ |
| 1200 шт. | 1.593000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 306W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 120A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@60A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 84nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.1V@60mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.419nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 82pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 31pF |
| Время задержки включения Td(on) | 25.6ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 71ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.46mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 520uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 110ns |
Описание
306W 120A 650V FS (ограничение поля) TO-3PN одиночные IGBT-транзисторы