IGBT 650V TO-3P
Артикул: C444005
Part Number: FGA40N65SMD
Производитель: onsemi
от 1.402900 ₽
В наличии: 823 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.235400 ₽ |
| 10 шт. | 2.069900 ₽ |
| 30 шт. | 1.578200 ₽ |
| 90 шт. | 1.471700 ₽ |
| 450 шт. | 1.424200 ₽ |
| 900 шт. | 1.402900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 349W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 119nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.88nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 180pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 92ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 820uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 260uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 42ns |
Описание
IGBT FS (ограничение поля) 650V монтаж в отверстия TO-3P