onsemi FGA60N65SMD
Артикул: C444004
Part Number: FGA60N65SMD
Производитель: onsemi
от 1.535600 ₽
В наличии: 3437 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.989200 ₽ |
| 10 шт. | 2.561500 ₽ |
| 30 шт. | 1.986300 ₽ |
| 90 шт. | 1.712600 ₽ |
| 450 шт. | 1.588100 ₽ |
| 900 шт. | 1.535600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 600W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 120A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 250uA |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@60A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 189nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.915nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 270pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 85pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 104ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.54mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 450uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 47ns |
Описание
600W 120A 650V FS (ограничение поля) TO-3PN одиночные IGBT-транзисторы RoHS