onsemi HGTP7N60A4

onsemi HGTP7N60A4

Артикул: C442451 Part Number: HGTP7N60A4 Производитель: onsemi
от 2.835000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.021900 ₽
10 шт. 2.979600 ₽
30 шт. 2.952000 ₽
100 шт. 2.835000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 125W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 34A
Ток отсечки коллектора (Ices) 250uA
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.9V
Заряд затвора (Qg) 37nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.9V
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 11ns
Время задержки выключения Td(off) 100ns
Энергия потерь при включении (Eon) 50uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 125uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

125W 34A 600V TO-220 одиночные IGBT-транзисторы RoHS