100V, 53A GaN полумостовой мощность каскад
Артикул: C44231310
Part Number: LMG2100R026VBNR
Производитель: TI
от 13.510000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.667400 ₽ |
| 10 шт. | 15.922000 ₽ |
| 30 шт. | 14.633000 ₽ |
| 100 шт. | 13.510000 ₽ |
Характеристики
| Особенности | Dead-time control;Built-in bootstrap diode |
| Напряжение питания | 4.75V~5.25V |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Количество драйверов | 2 |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Входной логический уровень — высокий | 1.87V~2.22V |
| Ток покоя (Iq) | 90uA |
| Входной логический уровень — низкий | 1.48V~1.76V |
| Задержка распространения tpLH | 35ns |
| Задержка распространения tpHL | 55ns |
Описание
Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET VQFN-FCRLF-18(4.5x7)