Infineon IPB021N10NM5LF2ATMA1
Артикул: C44182141
Part Number: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Производитель: Infineon
от 4.080700 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.816200 ₽ |
| 10 шт. | 4.996800 ₽ |
| 30 шт. | 4.498600 ₽ |
| 100 шт. | 4.080700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 176A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.6mΩ@15V |
| Заряд затвора (Qg) | 165nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 13nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 35pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.8nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
375W 100V 176A 3.1V 1.6mΩ@15V 1 N-канальный N-канальный TO-263-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS