Infineon IGLT65R110D2ATMA1
Артикул: C44179923
Part Number: IGLT65R110D2ATMA1
Производитель: Infineon
от 2.492700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.002000 ₽ |
| 10 шт. | 3.420200 ₽ |
| 30 шт. | 3.076100 ₽ |
| 100 шт. | 2.727000 ₽ |
| 500 шт. | 2.564800 ₽ |
| 1000 шт. | 2.492700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 15A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 55W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 110mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 2.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 170pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.39pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 29pF |
Описание
650V 15A 1.2V 55W 110mΩ 1 N-канальный N-канальный HDSOP-16 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)