650V SuperGaN FET в корпусе TO-247 (source лепесток)
Артикул: C43694908
Part Number: TP65H035G4WS
Производитель: RENESAS
от 15.134400 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 19.133100 ₽ |
| 10 шт. | 18.190800 ₽ |
| 30 шт. | 16.558600 ₽ |
| 100 шт. | 15.134400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 46A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 156W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1500pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 147pF |
Описание
650V 46A 4V 156W 35mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS