TI 2N6532
Артикул: C4365996
Part Number: 2N6532
Производитель: TI
от 1.082100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.950700 ₽ |
| 200 шт. | 1.142700 ₽ |
| 500 шт. | 1.101800 ₽ |
| 1000 шт. | 1.082100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65W |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3V |
| Ток отсечки коллектора | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 1000 8A NPN TO-220-3 одиночные биполярные транзисторы