Кремний N-канальный IGBT
Артикул: C435817
Part Number: GT30J122A(STA1,E,D
Производитель: TOSHIBA
от 1.153200 ₽
В наличии: 210 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.178500 ₽ |
| 10 шт. | 1.852100 ₽ |
| 25 шт. | 1.497700 ₽ |
| 100 шт. | 1.289400 ₽ |
| 500 шт. | 1.194300 ₽ |
| 1000 шт. | 1.153200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 1mA |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.8V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 300ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 500ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
120W 30A 600V TO-3PN одиночные IGBT-транзисторы