Infineon IMBG65R060M2H
Артикул: C43314458
Part Number: IMBG65R060M2H
Производитель: Infineon
от 9.535000 ₽
В наличии: 18 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 13.312700 ₽ |
| 10 шт. | 11.531500 ₽ |
| 30 шт. | 10.445700 ₽ |
| 100 шт. | 9.535000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 34.9A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 148W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 73mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 18nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 669pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 65pF |
Описание
650V 34.9A 5.6V 148W 73mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS