Infineon IGT65R140D2ATMA1
Артикул: C43313444
Part Number: IGT65R140D2ATMA1
Производитель: Infineon
от 2.235400 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.357500 ₽ |
| 10 шт. | 2.305400 ₽ |
| 30 шт. | 2.271200 ₽ |
| 100 шт. | 2.235400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 47W |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 155pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.31pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 22pF |
Описание
650V 13A 1.2V 47W 140mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS