Infineon IGLT65R055D2ATMA1
Артикул: C43313402
Part Number: IGLT65R055D2ATMA1
Производитель: Infineon
от 4.354800 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.291300 ₽ |
| 10 шт. | 5.378600 ₽ |
| 30 шт. | 4.821800 ₽ |
| 100 шт. | 4.354800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 31A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 102W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 55mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 4.7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 340pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.77pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 57pF |
Описание
650V 31A 1.2V 102W 55mΩ 1 N-канальный N-канальный SOP-16 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS