Infineon IGLR65R200D2XUMA1
Артикул: C43313399
Part Number: IGLR65R200D2XUMA1
Производитель: Infineon
от 1.206700 ₽
В наличии: 36 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.101500 ₽ |
| 10 шт. | 1.768400 ₽ |
| 30 шт. | 1.559400 ₽ |
| 100 шт. | 1.345500 ₽ |
| 500 шт. | 1.247500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.206700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9.2A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 200mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 1.26nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 91pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.21pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 15pF |
Описание
650V 9.2A 1.2V 34W 200mΩ 1 N-канальный N-канальный PG-TSON-8-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS