Infineon IGB110S10S1XTMA1
Артикул: C43313312
Part Number: IGB110S10S1XTMA1
Производитель: Infineon
от 1.129200 ₽
В наличии: 68 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.922400 ₽ |
| 10 шт. | 1.627400 ₽ |
| 30 шт. | 1.442200 ₽ |
| 100 шт. | 1.252100 ₽ |
| 500 шт. | 1.166900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.129200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Технология | E-mode |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 23A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15W |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.4mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 3.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
Описание
100V 23A 2V 15W 9.4mΩ 1 N-канальный N-канальный PG-TSON-4-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS