Infineon IMW65R033M2HXKSA1
Артикул: C43311737
Part Number: IMW65R033M2HXKSA1
Производитель: Infineon
от 9.919600 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.228600 ₽ |
| 10 шт. | 9.919600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 53A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 194W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 41mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 34nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.214nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 117pF |
Описание
650V 53A 5.6V 194W 41mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)