NPN 100mA 50V цифровой транзисторы (смещение резистор встроенный транзисторы)
Артикул: C43153824
Part Number: DTC114ECAMGT116
Производитель: ROHM
от 0.018800 ₽
В наличии: 2920 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.038500 ₽ |
| 100 шт. | 0.030000 ₽ |
| 300 шт. | 0.025800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.022600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.020100 ₽ |
| 9000 шт. | 0.018800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
30 100mA 350mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS