100V GaN FET с встроенный драйвер
Артикул: C42715446
Part Number: LMG3100R044VBER
Производитель: TI
от 7.824100 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.355200 ₽ |
| 10 шт. | 9.234300 ₽ |
| 30 шт. | 8.516200 ₽ |
| 100 шт. | 7.824100 ₽ |
Характеристики
| Количество каналов | 1 |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Ток покоя (Iq) | 125uA |
| Рабочее напряжение | 4.75V~5.25V |
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Особенности | Built-in bootstrap diode |
| Входной логический уровень — высокий | 1.87V |
| Задержка распространения tpLH | 36ns |
| Входной логический уровень — низкий | 1.76V |
| Задержка распространения tpHL | 36ns |
Описание
Полумостовой 1 MOSFET VQFN-FCRLF-15(4x6.5) ключи распределения питания, драйверы нагрузок RoHS