SiC MOSFET 650V G2
Артикул: C42670746
Part Number: IMW65R010M2HXKSA1
Производитель: Infineon
от 22.830300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 24.020000 ₽ |
| 30 шт. | 22.830300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 130A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 440W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13.1mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 112nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.001nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 22pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 386pF |
Описание
650V 130A 5.6V 440W 13.1mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS