Infineon IMT65R040M2HXUMA1
Артикул: C42670745
Part Number: IMT65R040M2HXUMA1
Производитель: Infineon
от 6.199700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.954500 ₽ |
| 10 шт. | 7.654900 ₽ |
| 30 шт. | 6.863400 ₽ |
| 100 шт. | 6.199700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 58.7A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 277W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 49mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 997pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 96pF |
Описание
650V 58.7A 5.6V 277W 49mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS