Infineon IMT65R026M2HXUMA1
Артикул: C42670744
Part Number: IMT65R026M2HXUMA1
Производитель: Infineon
от 9.356000 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.878100 ₽ |
| 10 шт. | 11.284900 ₽ |
| 30 шт. | 10.254100 ₽ |
| 100 шт. | 9.356000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 81A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 365W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 33mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.499nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 144pF |
Описание
650V 81A 5.6V 365W 33mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS