Infineon IMBG65R010M2H
Артикул: C42670689
Part Number: IMBG65R010M2H
Производитель: Infineon
от 21.260500 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 21.920700 ₽ |
| 10 шт. | 21.260500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 158A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 535W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13.1mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 112nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.001nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 22pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 386pF |
Описание
650V 158A 5.6V 535W 13.1mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)