Infineon IGT65R045D2ATMA1
Артикул: C42669719
Part Number: IGT65R045D2ATMA1
Производитель: Infineon
от 5.859800 ₽
В наличии: 47 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.512800 ₽ |
| 10 шт. | 7.261500 ₽ |
| 30 шт. | 6.498200 ₽ |
| 100 шт. | 5.859800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 38A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 131W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 45mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 430pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.98pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 72pF |
Описание
650V 38A 1.2V 131W 45mΩ 1 N-канальный N-канальный PG-HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)