Infineon IGT65R035D2ATMA1
Артикул: C42669718
Part Number: IGT65R035D2ATMA1
Производитель: Infineon
от 12.766200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.750500 ₽ |
| 10 шт. | 15.047600 ₽ |
| 30 шт. | 13.829300 ₽ |
| 100 шт. | 12.766200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 49A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 167W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 7.7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 540pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 91pF |
Описание
650V 49A 1.2V 167W 35mΩ 1 N-канальный N-канальный PG-HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS