Infineon IGT65R025D2ATMA1
Артикул: C42669716
Part Number: IGT65R025D2ATMA1
Производитель: Infineon
от 12.751200 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.730600 ₽ |
| 10 шт. | 15.028900 ₽ |
| 30 шт. | 13.812700 ₽ |
| 100 шт. | 12.751200 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 236W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 25mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 11nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 780pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 130pF |
Описание
650V 70A 1.2V 236W 25mΩ N-канальный PG-HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)