Infineon IGLD65R080D2AUMA1
Артикул: C42669666
Part Number: IGLD65R080D2AUMA1
Производитель: Infineon
от 3.862200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.458400 ₽ |
| 10 шт. | 4.705700 ₽ |
| 30 шт. | 4.246700 ₽ |
| 100 шт. | 3.862200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 68W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 80mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 3.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 240pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.54pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
Описание
650V 18A 1.2V 68W 80mΩ 1 N-канальный N-канальный PG-LSON-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS