P+N-канальный 20V быстрый импульсный MOSFET-транзисторы
Артикул: C42457199
Part Number: XR6G02L
Производитель: XNRUSEMI
от 0.032800 ₽
В наличии: 2980 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.062100 ₽ |
| 100 шт. | 0.049500 ₽ |
| 300 шт. | 0.043200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.038500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.034700 ₽ |
| 9000 шт. | 0.032800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6.3A;4.1A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17mΩ@4.5V;30mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 4.6nC@15V;8.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 310pF;830pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 35pF;85pF |
Описание
20V 700mV 1W 1 N-канальный + 1 P-канальный SOT-23-6L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS