650V GaN FET
Артикул: C42436707
Part Number: TP65H070G4LSGB-TR-CN
Производитель: ChipNobo
от 3.913700 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.520500 ₽ |
| 10 шт. | 4.761500 ₽ |
| 30 шт. | 4.301100 ₽ |
| 100 шт. | 3.913700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18.9A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65.8W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.65V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 92mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 14.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 818pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 53pF |
Описание
650V 18.9A 3.65V 65.8W 92mΩ 1 N-канальный N-канальный DFN-8(8x8) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)