Infineon IKB30N65EH5ATMA1
Артикул: C42434071
Part Number: IKB30N65EH5ATMA1
Производитель: Infineon
от 6.103800 ₽
В наличии: 8 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.323100 ₽ |
| 10 шт. | 6.228900 ₽ |
| 30 шт. | 6.167100 ₽ |
| 100 шт. | 6.103800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 55A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC@30A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 55pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7pF |
| Время задержки включения Td(on) | 24ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 159ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 870uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 300uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 75ns |
Описание
188W 55A 650V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS