NPN кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор

NPN кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор

Артикул: C42415191 Part Number: DTC114YE Производитель: Slkor
от 0.013300 ₽ В наличии: 3000 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
50 шт. 0.023300 ₽
500 шт. 0.019000 ₽
3000 шт. 0.016600 ₽
6000 шт. 0.015200 ₽
24000 шт. 0.013900 ₽
51000 шт. 0.013300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Тип NPN
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Коэффициент усиления по постоянному току 68
Рабочая температура -
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.4V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 300mV
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 4.7
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора 500nA

Описание

50V 68 100mA 150mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-523 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS