VBsemi Elec VBP165I80
Артикул: C42412805
Part Number: VBP165I80
Производитель: VBsemi Elec
от 3.438200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.068100 ₽ |
| 210 шт. | 3.618600 ₽ |
| 510 шт. | 3.498300 ₽ |
| 990 шт. | 3.438200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 510W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 196nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 8.4nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 80pF |
| Время задержки включения Td(on) | 80ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 195ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 0.51uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 0.18uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 90ns |
Описание
510W 80A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы