VBsemi Elec VBP112MI50
Артикул: C42412429
Part Number: VBP112MI50
Производитель: VBsemi Elec
от 4.550300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.003400 ₽ |
| 210 шт. | 4.789300 ₽ |
| 510 шт. | 4.630500 ₽ |
| 990 шт. | 4.550300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 800W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 130nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 210pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 58pF |
| Время задержки включения Td(on) | 46ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 167ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 63ns |
Описание
800W 50A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы