VBsemi Elec VBP112MI40
Артикул: C42412428
Part Number: VBP112MI40
Производитель: VBsemi Elec
от 3.413500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.001800 ₽ |
| 210 шт. | 3.592400 ₽ |
| 510 шт. | 3.472100 ₽ |
| 990 шт. | 3.413500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 178nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 68pF |
| Время задержки включения Td(on) | 68ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 178ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 0.4uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 0.5uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 82ns |
Описание
350W 80A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы