NPN дарлингтона транзистор

NPN дарлингтона транзистор

Артикул: C42405715 Part Number: BCV49 Производитель: PJSEMI
от 0.049000 ₽ В наличии: 4610 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.086500 ₽
50 шт. 0.070400 ₽
150 шт. 0.062300 ₽
1000 шт. 0.056300 ₽
2000 шт. 0.051400 ₽
5000 шт. 0.049000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 60V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.1W
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 2000;4000;10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.4V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 220MHz

Описание

60V 500mA NPN SOT-89 одиночные биполярные транзисторы