650V N-канальный MOSFET
Артикул: C42404743
Part Number: FQD4N65SE
Производитель: KTP
от 0.068900 ₽
В наличии: 2175 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.134300 ₽ |
| 50 шт. | 0.106200 ₽ |
| 150 шт. | 0.092100 ₽ |
| 500 шт. | 0.081600 ₽ |
| 2500 шт. | 0.073100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.068900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 50W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.5Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.3nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 560pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 48pF |
Описание
650V 4A 4V 50W 2.5Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)