Транзистор предварительное смещение NPN SOT-23
Артикул: C42389368
Part Number: HDTD123YCT116
Производитель: HXY MOSFET
от 0.012800 ₽
В наличии: 720 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.026400 ₽ |
| 200 шт. | 0.020600 ₽ |
| 600 шт. | 0.017400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.015400 ₽ |
| 9000 шт. | 0.013700 ₽ |
| 21000 шт. | 0.012800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 33 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 2.86kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 5.5 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 200mW поверхностный монтаж SOT-23