Цифровой транзисторы
Артикул: C42389366
Part Number: HDTB143ECT116
Производитель: HXY MOSFET
от 0.018400 ₽
В наличии: 360 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.035400 ₽ |
| 200 шт. | 0.028100 ₽ |
| 600 шт. | 0.024000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.021600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.019500 ₽ |
| 21000 шт. | 0.018400 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23