Цифровой транзисторы
Артикул: C42389347
Part Number: HMUN2233T1G
Производитель: HXY MOSFET
от 0.030700 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.056100 ₽ |
| 100 шт. | 0.045200 ₽ |
| 300 шт. | 0.039700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.035700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.032400 ₽ |
| 9000 шт. | 0.030700 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 6.11kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 200mW поверхностный монтаж SOT-23