Транзистор предварительное смещение NPN SOT-523

Транзистор предварительное смещение NPN SOT-523

Артикул: C42389342 Part Number: HKRC404ERTKP Производитель: HXY MOSFET
от 0.030300 ₽ В наличии: 140 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.055300 ₽
100 шт. 0.044500 ₽
300 шт. 0.039200 ₽
3000 шт. 0.035100 ₽
6000 шт. 0.031900 ₽
9000 шт. 0.030300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 30mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO -
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Коэффициент усиления по постоянному току 68
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@2mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@10mA,0.5mA
Входной резистор 61.1kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 150mW поверхностный монтаж SOT-523