Транзистор NPN+NPN 160V 200mA SOT-363
Артикул: C42389333
Part Number: HMMDT55517F
Производитель: HXY MOSFET
от 0.041400 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.075600 ₽ |
| 100 шт. | 0.060900 ₽ |
| 300 шт. | 0.053500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.048000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.043600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.041400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 160V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Ток коллектора (Ic) | 200mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 200mV |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Конфигурация | Standalone |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 300MHz |
Описание
Биполярные транзисторы (BJT) транзистор NPN+NPN 160V 200mA 300MHz 200mW поверхностный монтаж SOT-363