GaN-on-кремний обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C42389175
Part Number: HIGLR65R140D2
Производитель: HXY MOSFET
от 1.489300 ₽
В наличии: 70 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.495600 ₽ |
| 10 шт. | 2.119600 ₽ |
| 30 шт. | 1.886300 ₽ |
| 100 шт. | 1.644800 ₽ |
| 500 шт. | 1.536200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.489300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@6V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 83pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 27pF |
Описание
650V 10A 1.6V 75W 160mΩ@6V 1 N-канальный N-канальный DFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)