SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C42389133
Part Number: HSCTW35N65G2V
Производитель: HXY MOSFET
от 5.242600 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.662900 ₽ |
| 10 шт. | 6.522200 ₽ |
| 30 шт. | 5.826600 ₽ |
| 90 шт. | 5.242600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 49A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 242W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 49mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 96nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.823nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 190pF |
Описание
650V 49A 4V 242W 49mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)