SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C42389100
Part Number: HSCTWA60N12G24AG
Производитель: HXY MOSFET
от 7.654900 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.909600 ₽ |
| 10 шт. | 9.374000 ₽ |
| 30 шт. | 8.438300 ₽ |
| 90 шт. | 7.654900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 63A |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 283W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 43mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 118nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.357nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 129pF |
Описание
1.2kV 63A 3.6V 283W 43mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)